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詳細(xì)摘要：低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀阻抗儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀，體積小，緊湊便攜，便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%，測(cè)試頻率87高1MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面，操作方便簡潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口，能滿足自動(dòng)分選測(cè)試，數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-S所在地： 參考價(jià)：¥50000
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詳細(xì)摘要：絕緣油介質(zhì)與體積電阻率測(cè)試儀概述絕緣油介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀是依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量》設(shè)計(jì)制造的高精密一體化檢測(cè)儀器。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-C所在地： 參考價(jià)：¥25000
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詳細(xì)摘要：導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀直徑為10cm或更大些，需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí)，很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入損耗要盡可能地小。 厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化，對(duì)1%的精確度來講，1.5mm的厚度就足夠了。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：工頻介電常數(shù)測(cè)試儀電橋采用接觸電阻小，機(jī)械壽命長的十進(jìn)開關(guān)，保證測(cè)量的穩(wěn)定性 儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37a所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 測(cè)量范圍及誤差 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。 在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3（Ω 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-S所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：諧振法測(cè)試儀性能特點(diǎn)： 平板電容器 極片尺寸：φ25.4mm\\φ50mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm 園筒電容器 電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF 長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm 夾具插頭間距：25mm±1mm 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時(shí)） 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合GB1409、GB5654 及GB/T1693, ASTM D150-1998（2004） 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常 數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及 100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT儀器的技術(shù)指標(biāo) Q值測(cè)量范圍：2～1023 Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔； 電感測(cè)量范圍：14.5nH～8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能 電容直接測(cè)量范圍：1～460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍： 30～500pF 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx4pF—2000pF±0.5% Cx±3pF 介損損耗tgδ0-0.1±1.5% tgδx±0.0001 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37a所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-a儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至醉低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為晶確。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：西林電橋介電常數(shù)測(cè)試儀BQS-37a（QS-37a）型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。輔橋由電位自動(dòng)電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽（S）組成。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37a所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：點(diǎn)膠紙介電常數(shù)測(cè)試儀儀器所配（HVx）高壓電線雖出廠時(shí)已檢測(cè)合格，但測(cè)量時(shí)仍需遠(yuǎn)離人體及低壓測(cè)試線（Cx）；高壓芯線與高壓屏蔽線均不允許接地和測(cè)試回路的低電位部分。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)測(cè)試儀品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過緊或過松），這時(shí)能讀，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排取的測(cè)試裝置液晶顯示 屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度 D2。改變 Q 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：全自動(dòng)油品介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀采用大屏幕 TFT 純彩液晶觸控顯示器，顯示清晰。只需簡單設(shè)置，儀器即可自動(dòng)進(jìn)行測(cè)試。并自動(dòng)存儲(chǔ)和打印測(cè)試結(jié)果。 交流試驗(yàn)電源采用AC-DC-AC 轉(zhuǎn)換方式，有效避免市電電壓及頻率波動(dòng)對(duì)介損測(cè)試準(zhǔn)確性影響，即便是發(fā)電機(jī)發(fā)電，該儀器也能正確運(yùn)行。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-C1所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：電容電橋測(cè)試儀BQS符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998（2004） 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37a所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：低頻介電常數(shù)測(cè)試儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀，體積小，緊湊便攜，便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%，測(cè)試頻率zui高1MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面，操作方便簡潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口，能滿足自動(dòng)分選測(cè)試，數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-S所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：電容器薄膜材料介電常數(shù)測(cè)量儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍10KHz-70MHz （雙頻對(duì)向搜索 確保頻率不被外界干擾）另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-160M 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：互感器高頻介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣管材工頻介電常數(shù)測(cè)試儀BQS-37a型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測(cè)量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗（tgδ）及介電常數(shù)（ε）。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37a所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：GBT1409-2006電氣絕緣材介電常數(shù)測(cè)試儀：高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量儀器，為了提高測(cè)量精度，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
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